SK하이닉스와 일본의 도시바가 나노 임프린트 리소그래피(Nano Imprint Lithography·NIL) 기술에 대한 공동 개발 본 계약을 맺었다.

5일 SK하이닉스에 따르면 양사는 지난해 12월 이에 대한 양해각서(MOU)를 맺었으며, 이번 본 계약 체결을 통해 실제 개발에 착수하게 된다.

NIL 기술에 대한 공동 개발은 오는 4월부터 양사 엔지니어들의 협업으로 도시바의 요코하마에 위치한 팹(Fab)에서 진행될 예정이며, 2017년께 실제 제품에 적용될 예정이다.

NIL 기술은 메모리 공정이 더욱 미세화되고 있는 가운데 미세 패턴을 구현하는데 있어 적합한 차세대 리소그래피 공정기술로 평가받고 있다. 막대한 투자가 선행돼야 하는 기존 공정기술과 비교해 경제적인 양산이 가능하다는 장점도 갖고 있다.

업계에서는 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 EUV(Extreme Ultraviolet) 활용 등 다양한 노력을 해오고 있었으며, NIL 기술도 한계 극복을 위한 방안 중 하나로 개발돼 왔다.

SK하이닉스는 "이번 협력을 통해 양사는 공정 미세화의 한계에 대응하기 위한 새로운 기술을 확보, 메모리 반도체 선두 업체로의 입지를 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다"고 말했다.

한편 SK하이닉스는 도시바와 오랜 협력 관계를 유지해왔다. 지난 2007년에는 특허 상호 라이선스 계약을 체결한 바 있으며, 2011년부터는 차세대 메모리인 'STT-M램'의 공동개발을 진행하고 있다.

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